TPCC8105,LQ(O参数:MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON-ADV
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):23A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 11.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 500µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):76nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3240pF @ 10V功率 - 最大值:30W安装类型:表面贴装封装:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-TSON高级