TPCC8A01-H(TE12LQM参数：MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： 8TSONTop 8TSONSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.9毫欧@10.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1900pF@10V功率-最大值：30W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-TSON
