TPCF8101(TE85L)参数：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TPC8xxxSeriesSide TPC8xxxSeriesTop标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@200µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@10V功率-最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）
