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TPCF8102

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TPCF8102(TE85L,F,M
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TPCF8102(TE85L)
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TPCF8102(TE85L)参数：MOSFET P-CH 20V 6A VS-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TPC8xxxSeriesSide TPC8xxxSeriesTop
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@3A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@200µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1550pF@10V
功率-最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）

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