TPCF8104(TE85L,F,M参数：MOSFET P-CH -30V -6A VS-8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TPC8xxxSeriesSide TPC8xxxSeriesTop标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：34nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1760pF@10V功率-最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）