TPCF8201(TE85L,F,M参数：MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： TPC8xxxSeriesSide TPC8xxxSeriesTop标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：49毫欧@1.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@200µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.5nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：590pF@10V功率-最大值：530mW安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）
