TPCF8A01(TE85L)参数：MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：4,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：49 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：590pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）
