TPCF8B01(TE85L,F,M参数：MOSFET P-CH SBD 20V 2.7A VS-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：4,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：470pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）
