TPCM8001-H(TE12L,Q参数：MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TPCM8001Side TPCM8001Top标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.5毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1130pF@10V功率-最大值：30W安装类型：表面贴装封装：8-PowerWDFN供应商器件封装：2-4L1A
