TPCS8004(TE12L,Q)参数：MOSFET N-CH 200V 1.3A 8TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 600mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-TSSOP
