TPH12008NH,L1Q参数：MOSFET N CH 80V 24A SOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：24A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.3 毫欧 @ 12A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA，10V不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1900pF @ 40V功率 - 最大值：48W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-SOP 高级
