TPH4R008NH,L1Q参数：MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA，10V不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：59nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5300pF @ 40V功率 - 最大值：78W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-SOP 高级