TPH4R606NH,L1Q参数：MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：32A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.6 毫欧 @ 16A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：49nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3965pF @ 30V功率 - 最大值：63W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-SOP 高级
