TPN22006NH,LQ参数:MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 4.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):710pF @ 30V功率 - 最大值:18W安装类型:表面贴装封装:8-PowerVDFN供应商器件封装:8-TSON高级