TPN30008NH,LQ参数：MOSF N CH 80V 9.6A 8TSON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 4.8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 40V功率 - 最大值：27W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-TSON高级
