TT8J21TR参数：MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： MOSFETTSST-8特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：68毫欧@2.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1270pF@10V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-TSST供应商器件封装：TSST8
