UNR221100L

UNR221100L
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UNR221100L参数：TRANS NPN W/RES 35 HFE MINI 3P

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品目录绘图： PNP,NPNMiniType
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：150MHz
功率-最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：迷你型3-G1