UNR411H00A参数:TRANS PNP W/RES 30HFE NS-B1
类别:分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式产品目录绘图: NS-B1TypeSide NS-B1TypeFront标准包装:5,000系列:-包装:带盒(TB)晶体管类型:PNP-预偏压电流-集电极(Ic)(最大值):100mA电压-集射极击穿(最大值):50V电阻器-基底(R1)(Ω):2.2k电阻器-发射极基底(R2)(Ω):10k不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)(最小值):30@5mA,10V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值(最大值):250mV@300µA,10mA电流-集电极截止(最大值):500nA频率-跃迁:80MHz功率-最大值:300mW安装类型:通孔封装:NS-B1供应商器件封装:NS-B1