UPA2763T1A-E1-AY参数：MOSFET N-CH 100V 42A 8HSON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：42A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 21A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2100pF @ 10V功率 - 最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）
