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UPA802T

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UPA802T-T1 优势库存
NEC
SOT363
2023+
15356
原装现货，价格优势
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UPA802T-T1-A
NEC
2007
2023+
31278
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UPA802T-T1
NEC
R34363
2023+
14557
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UPA802TC-T1
NEC
SMD0603
2023+
62557
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UPA802TC
NEC
SMD0603
2023+
434557
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UPA802T
NEC
SOT-363
2023+
4278
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UPA802T-A
CEL代理分销
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
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UPA802T-T1
NEC
SOT363
2023+
12000
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UPA802T-T1-A
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2023+
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UPA802T-A
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UPA802T-T1-A
CEL代理分销
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2023+
1250
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UPA802T-FB
NEC
SOT-363
2023+
17278
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UPA802TC-T1(FB)
NEC
SOT363
2023+
10278
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UPA802T-T2
NEC
SOT-363
2023+
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UPA802T-T1-A
CEL
SO-6
2023+
26000
射频半导体
UPA802T-A
CEL
SO-6
2023+
26000
射频半导体
相关型号： UPA801T-T1-A UPA801T-A UPA800T-T1-A UPA800T-T1 UPA800T-A UPA679TB-T2-A

UPA802T-A
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UPA802T-A参数：TRANSISTOR NPN HF 7GHZ SOT363

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：10V
频率 - 跃迁：7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz
增益：-
功率 - 最大值：200mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：65mA
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：6-SO

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