US6M2TR参数:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图: TUMT-6PackageTop特色产品: ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:标准漏源极电压(Vdss):30V,20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.5A,1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):240毫欧@1.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):2.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):80pF@10V功率-最大值:1W安装类型:表面贴装封装:6-SMD,扁平引线供应商器件封装:TUMT6