USB10H参数:MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 P 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 1.9A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):441pF @ 10V功率 - 最大值:700mW安装类型:表面贴装封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6供应商器件封装:6-SSOT