VBH40-05B参数：MODULE MOSFET H-BRIDGE V2
类别：半导体模块-FET标准包装：6系列：HiPerFET™包装：散装FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：116 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：270nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：底座安装封装：V2-PAK供应商器件封装：V2-PAK
