VMM650-01F参数：MOSFET MOD PHASE LEG 100V Y3-LI
类别：半导体模块-FET标准包装：2系列：HiPerFET™包装：散装FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：680A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.2 毫欧 @ 500A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 30mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1440nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：底座安装封装：Y3-Li供应商器件封装：Y3-Li
