VMO1200-01F参数：MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
类别：半导体模块-FET标准包装：2系列：HiPerFET™包装：托盘FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1245A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.35 毫欧 @ 932A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 64mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2520nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：底座安装封装：Y3-Li供应商器件封装：Y3-Li
