VMO1600-02P参数:MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
类别:半导体模块-FET标准包装:2系列:PolarHT™包装:托盘FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1900A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 1600A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2900nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-功率 - 最大值:-安装类型:底座安装封装:Y3-Li供应商器件封装:Y3-Li