VS-FB190SA10参数:MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
类别:半导体模块-FET标准包装:160系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):190A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 180A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.35V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):250nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10700pF @ 25V功率 - 最大值:568W安装类型:底座安装封装:SOT-227-4,miniBLOC供应商器件封装:SOT-227