VS-GB90SA120U参数:TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
类别:半导体模块-IGBT标准包装:160系列:-IGBT 类型:NPT配置:单一电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.9V @ 15V,75A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):149A电流 - 集电极截止(最大值):250µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):-功率 - 最大值:862W输入:标准NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装:SOT-227-4供应商器件封装:SOT-227