XP151A13A0MR参数:MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 500mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):220pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23