ZVNL110GTA参数:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单其它图纸: SOT-223Footprint标准包装:1,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):600mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3欧姆@500mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):75pF@25V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223