ZVNL120GTA参数：MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： SOT-223Footprint标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：320mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10欧姆@250mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：85pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
