ZXMD65P03N8TA参数：MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1系列：-包装：剪切带 (CT)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 4.9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：930pF @ 25V功率 - 最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
