ZXMHC10A07N8TC参数：MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：800mA，680mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 1.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：138pF @ 60V功率 - 最大值：870mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOP
