ZXMHC6A07T8TA参数：MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.6A，1.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 1.8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：166pF @ 40V功率 - 最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：SOT-223-8供应商器件封装：SM8
