ZXMN10A08G参数:MOSFET N-CHAN 100V SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单其它图纸: SOT-223Footprint标准包装:1,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):250毫欧@3.2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):7.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):405pF@50V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223