ZXMN2A01FTA参数:MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
类别:分立半导体产品-FET - 单其它图纸: SOT-23Top标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):120毫欧@4A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):303pF@15V功率-最大值:625mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3