ZXMN3B04N8TA参数:MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:500系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 7.2A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23.1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2480pF @ 15V功率 - 最大值:2W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOP