ZXMN3G32DN8TC

ZXMN3G32DN8TA
PDF资料下载

ZXMN3G32DN8TA参数：MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
标准包装：500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：472pF@15V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOP